RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
65
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
35
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2124
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-DI 2GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link