RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
65
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
23
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2339
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link