RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
65
Intorno -225% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
20
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link