RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link