RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
65
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
23
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link