RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
65
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
51
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2720
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link