RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link