RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
65
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
56
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
1964
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link