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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
65
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
46
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2717
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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