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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
60
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
60
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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