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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2513
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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