Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 1900
    Intorno 6.74% larghezza di banda superiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 1900
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1992 left arrow 2387
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