Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Unterschiede

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 1900
    Rund um 6.74% höhere Bandbreite
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 1900
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1992 left arrow 2387
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RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche