Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Note globale
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Note globale
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 1900
    Autour de 6.74% bande passante supérieure
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 1900
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1992 left arrow 2387
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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