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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 1900
    En 6.74% mayor ancho de banda
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 1900
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 2387

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