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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
1900
左右 6.74% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
45
读取速度,GB/s
12.3
11.7
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
12800
1900
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1992
2387
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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