Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 1900
    Por volta de 6.74% maior largura de banda
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    45 left arrow 45
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.0 left arrow 8.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 1900
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1992 left arrow 2387
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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