RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
1900
Por volta de 6.74% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
1900
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2387
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link