Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 26

Intorno 8% latenza inferiore

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.2 16

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

17.3 12.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 19200

Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2925 3938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns