RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
25
Velocità di lettura, GB/s
16.0
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link