RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link