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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
30
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3694
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
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