RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3694
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link