RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
31
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
31
Velocità di lettura, GB/s
16.0
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link