RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3823
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link