RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
27
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2725
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link