RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2725
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link