RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
374
Intorno 94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
0.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
374
Velocità di lettura, GB/s
16.0
0.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
1.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
269
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link