RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
374
Wokół strony 94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
374
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
269
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link