RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
374
Wokół strony 94% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
0.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
374
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
0.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
1.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
269
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link