RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
35
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
35
Velocità di lettura, GB/s
16.0
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link