RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link