RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.2
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
18.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
4001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link