RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
28
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link