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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
26
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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