RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 26
    Около 8% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 14.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 9.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2890

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
модули RAM
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
модули RAM
Kingston 9905428-045.A00LF 4GB
Kingston 9905428-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
модули RAM