RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link