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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
40
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
40
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2956
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
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