RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2956
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link