RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
26
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2783
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link