RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link