RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link