RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3650
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link