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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
11.9
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
3171
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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