RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
26
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
19
Velocità di lettura, GB/s
11.9
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
3499
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link