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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641152 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 5641152 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
11.9
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
2215
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
INTENSO 5641152 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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