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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
INTENSO 5641152 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641152 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
11.9
14.1
写入速度,GB/s
7.6
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2215
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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