RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
53
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
53
Velocità di lettura, GB/s
11.9
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1610
2319
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link