RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
53
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
53
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
10.1
Скорость записи, Гб/сек
7.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2319
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link