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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB vs Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
41
Velocità di lettura, GB/s
12.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2080
2229
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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