RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Confronto
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
13.0
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1976
3473
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link