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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
57
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
25
Velocità di lettura, GB/s
6.8
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
3917
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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