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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
68
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
41
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
3731
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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